這一芯片，使硅襯底黃光LED電光轉換功率效率達到21.5%，遠高于國外公開報道的最高水平（9.63%），使我國LED技術處于“局部領跑”地位。新成果應邀在國際國內會議上作大會邀請報告6次，國際同行評價“令人驚嘆”，國內同行評價“又一石破天驚的世界紀錄”。
習近平總書記的肯定，是江風益團隊不懈前進的動力。在2015年度國家科技獎勵大會上，黨的十九大代表、南昌大學副校長江風益教授作為獲獎代表，從習近平總書記手里接過了國家技術發(fā)明獎一等獎證書。2016年2月，習近平總書記又視察了南昌大學國家硅基LED工程技術研究中心實驗室，肯定他們攻科研難題和抓成果轉化決心大、目標高、工作實、成效好。此次當選黨的十九大代表，對江風益來說，不僅是江西科學界和科研工作者的光榮，更是南昌大學國家硅基LED工程技術研究中心的光榮。“我只有加倍努力，才能對得起總書記和大家的這份信任。”
再一次的突破領跑，主要得益于MOVCD裝備與工藝的協(xié)同創(chuàng)新。做LED材料，以前核心的裝備必須靠進口，全世界只有美國和德國兩家公司在生產這個核心裝備。近些年，中心自主研發(fā)了新一代MOCVD高端裝備，這套裝備尤其適合黃光LED的研發(fā)，被列入“國家 十三五 節(jié)能環(huán)保產業(yè)發(fā)展規(guī)劃”。
黃光LED芯片最大的市場在于其代替了熒光粉。江風益表示，目前LED照明主要是藍光LED+熒光粉，因為黃光LED芯片電光轉換效率不高，必須用熒光粉去代替黃光LED芯片。現(xiàn)在黃光LED芯片已經到了高水平，就可以革掉熒光粉的命，進入真正意義上的下一代半導體照明。
LED照明技術還有很大的發(fā)展空間。不僅僅是黃光，目前，江風益團隊研究的硅襯底綠光LED電光轉換效率也達40%，處于世界一流水平；基于Ag基反射鏡的新型反極光紅光LED工藝開發(fā)獲得重要進展，拓展了研發(fā)方向；基于五基色LED合成的下一代LED照明技術已達到實用化水平，正向“全面領跑”的目標邁進。
10月19日，參加黨的十九大的江西省代表團討論面向中外媒體開放。江風益在會上深情地說：“曾經，我非常羨慕國外的科研人員，有很多研究經費，可以做很多創(chuàng)新性的工作。現(xiàn)在反過來，我們的研究條件很好，可以做很多以前想做而不敢做、國外沒有做成、改變世界的科學研究工作。前不久，南昌大學進入了國家雙一流建設大學行列，成為一流學科的建設高校，我所在學科也列入計劃中。我們已經制定發(fā)展戰(zhàn)略，將緊密結合江西重大需求，拓寬研究領域和研究方向。希望在不遠的將來，在光伏新材料方面，我們能引領世界格局。”
鏈接：黨的十八大以來，我省大力實施創(chuàng)新驅動發(fā)展戰(zhàn)略，科技創(chuàng)新工作取得了新的進展和突破，全省綜合科技進步水平指數(shù)直接突破50%的瓶頸線，首次邁進全國“第二類地區(qū)”行列；自主創(chuàng)新能力不斷增強，在航空制造、生物醫(yī)藥、新材料、節(jié)能環(huán)保、現(xiàn)代農業(yè)等重點領域的技術創(chuàng)新能力進入全國前列，涌現(xiàn)出一批重大創(chuàng)新成果。2013年至2016年累計獲國家科技獎勵項目39項，其中硅襯底LED項目榮獲2015年度國家技術發(fā)明獎中唯一一等獎，實現(xiàn)我省有史以來零的突破。
