晶體生長(zhǎng)設(shè)備特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)簡(jiǎn)述：
1. 單晶爐可自動(dòng)控制N型<111>、P型<100>單晶硅棒的生長(zhǎng)；
2.單晶爐速度控制精度≤FS3%；
3.單晶爐熔料量CZ-80A型70KG、CZ-90AI型100KG；
4.單晶爐增加了功率因數(shù)補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)了節(jié)能；
5.單晶爐采用自主設(shè)計(jì)研發(fā)的18″、20″熱系統(tǒng)，晶體生長(zhǎng)條件狀態(tài)好，產(chǎn)品成品率高，損耗小，生產(chǎn)效率高。
6.單晶爐下傳動(dòng)部分采用新型的盲道+機(jī)械密封+磁流體密封的結(jié)構(gòu)，提高了真空度。
7.單晶爐在大功率直拉單晶爐上首次采用了PLC自控系統(tǒng)和諧波抑制系統(tǒng)，提高了電氣系統(tǒng)的高穩(wěn)定性，實(shí)現(xiàn)了無(wú)電網(wǎng)污染。
8.單晶爐獨(dú)特的冷卻結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可達(dá)到最佳的溫度梯度，從而抑制了熔體的熱對(duì)流。
9.單晶爐自主研發(fā)的18″、20″復(fù)合式熱系統(tǒng) (帶有熱屏和矮加熱器組成的復(fù)合式熱系統(tǒng))，更進(jìn)一步抑制熔體的熱對(duì)流，并加速了結(jié)晶潛熱的排放，有效地降低了硅中的氧含量，并提高了氧在硅晶體中分布的均勻性，目前正在申報(bào)國(guó)家專利。
10.單晶爐合理的導(dǎo)氣排氣結(jié)構(gòu)，從而減少爐內(nèi)氣體的渦流現(xiàn)象；采用封閉式熱場(chǎng)涂層技術(shù),更進(jìn)一步降低了晶體的碳含量。