一、設備概況

　　晶體類型：多晶硅

　　摻雜物：為滿足一定的電阻率要求，加入硼與硅材料混合后實現目標電阻率。

　　二、技術參數

　　電學特性

　　電阻率：0.8Ω.cm～3.0Ω.cm(平均1.5Ω.cm)

　　少數載流子壽命：>2 µs

　　導電類型：P型

　　化學特性

　　碳含量：<2×1018 cm-3

　　氧含量：<4×1017 cm-3

　　尺寸

　　硅片尺寸：156 mm×156 mm±0.5 mm

　　125 mm×125 mm±0.5 mm

　　硅片厚度：200 µm±30 µm

　　偏差：≤50 µm

　　弓形：≤60 µm

　　線痕：≤20 µm

　　邊緣缺陷：無

　　其他

　　硅片表面：切面完整清潔。

　　污染物：無污垢，油污、皂液、粘合劑的殘留物、指紋等